特許

J-GLOBAL ID：200903047207626327

半導体装置の製造方法および半導体装置

発明者： 川口 均 ,  沢井 宏之 ,  高橋 豊誠
出願人/特許権者： 住友ベークライト株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-300728
公開番号（公開出願番号）：特開2002-110855
出願日： 2000年09月29日
公開日（公表日）： 2002年04月12日
要約：

【要約】【課題】 ウェハーレベルパッケージの低コスト化のため、半導体ウェハーをチップに分割する前に、ウェハー上で一括して、再配線用回路を形成し、ワイヤーボンドし、その後にダイシングして、各チップを個片化する、半導体装置の製造方法を実現する。【解決手段】 半導体ウェハー表面全体に形成された感光性絶縁樹脂層上に、半田ボールを搭載するためのボンディングパッド、チップとの接続のためのボンドフィンガー、および両者をつなぐための回路(再配線用回路)を、ウェハー上の各チップに対応して反復して形成した後、絶縁樹脂層にワイヤーボンディング用の開口部を設け、この開口部を通して、チップ上の前記パッドとボンドフィンガーとを一括してワイヤボンドした後、ダイシングして、各チップを個片化する。

請求項（抜粋）：

半導体チップの集合体である半導体ウェハー表面全体に形成された絶縁樹脂層上に、半田ボールを搭載するためのボンディングパッド、チップとの接続のためのボンドフィンガー、および両者をつなぐための回路(再配線用回路)を、ウェハー上の各チップに対応して反復して形成した後、絶縁樹脂層にワイヤーボンディング用の開口部を設け、この開口部を通して、チップ上の前記パッドとボンドフィンガーとを一括してワイヤボンドした後、ダイシングして、各チップを個片化することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 23/12 501 ,  H01L 23/12 ,  H01L 21/301

FI (4件)：

H01L 23/12 501 P ,  H01L 23/12 501 C ,  H01L 23/12 501 V ,  H01L 21/78 L

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置および製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-375353   出願人：日本電気株式会社