特許
J-GLOBAL ID：200903047236646850
フォトマスクブランクスおよびフォトマスク
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮崎 明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-204556
公開番号（公開出願番号）：特開平7-043888
出願日： 1993年07月26日
公開日（公表日）： 1995年02月14日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】ウエットエッチングによって位相シフトフォトマスクのパターンを切ることが可能であるとともに、吸収係数の大きな位相シフター層であっても光の透過率を高くすることが可能になり、更に、低反射率または高反射率のハーフトーンフォトマスクの制作が可能で、しかも、フォトマスクの製造プロセスが単純で手間のかからないフォトマスクブランクスおよびフォトマスクを提供する。【構成】フォトマスクブランクスおよびフォトマスクは、透明基板11の上に2層以上の位相シフト層5,6を形成し、各位相シフト層5,6ごとに膜質および膜厚を変えて、エッチング特性と光学的特性を膜厚の方向に変化させている。
請求項（抜粋）：
透明基板の上に2層以上の位相シフト層を形成し、各位相シフト層ごとに膜質および膜厚を変えて、エッチング特性と光学的特性を膜厚の方向に変化させていることを特徴とするフォトマスクブランクスおよびフォトマスク。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 528
