特許

J-GLOBAL ID：200903047250061660

半導体装置

発明者： 平松 星紀 ,  柳浦 聡 ,  古賀 万寿夫 ,  藤岡 弘文
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 宮田 金雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-378828
公開番号（公開出願番号）：特開2002-184941
出願日： 2000年12月13日
公開日（公表日）： 2002年06月28日
要約：

【要約】【課題】 シリコン樹脂で封止された半導体装置にヒートサイクルや振動が加わると、封止樹脂体に気泡、亀裂または界面剥離などが生じることがあった。気泡、亀裂または界面剥離の発生を防止して、半導体装置の動作信頼性を確保する。【解決手段】 所定温度で硬化させた樹脂硬化物の、室温での破断伸び率が室温での針入度の4%以上に調整されたシリコン樹脂で、金属ベース板の上部に固定された半導体素子を封止する。半導体装置は、外部から制御信号を半導体素子に供給可能な外部端子台と、エミッタ・コレクタ電極を被覆する構造樹脂体を備えていてもよい。シリコン樹脂は、室温での針入度が10以上、80以下に、また損失弾性率が貯蔵弾性率の17%以上に調整されていてもよい。シリコン樹脂よりも線膨張率が低い充填剤を含むことができる。

請求項（抜粋）：

金属ベース板の上部に固定された半導体素子と、所定温度で硬化させた硬化物の室温における破断伸び率が室温における針入度の4%以上に調整されたシリコーン樹脂で形成され、前記半導体素子を被覆する封止樹脂体と、前記封止樹脂体を囲繞し前記半導体素子へ外部から電力供給可能な筐体とを備えてなる半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 23/28

FI (2件)：

H01L 23/28 L ,  H01L 25/04 C

Fターム (14件)：

4M109AA01 ,  4M109BA03 ,  4M109CA02 ,  4M109DA10 ,  4M109DB02 ,  4M109DB09 ,  4M109EA10 ,  4M109EB07 ,  4M109EB14 ,  4M109EC04 ,  4M109EC05 ,  4M109EC20 ,  4M109EE02 ,  4M109GA05

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-304933   出願人：富士電機株式会社