特許

J-GLOBAL ID：200903047250319730

半導体装置

発明者： 河崎 律子 ,  北角 英人
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-057905
公開番号（公開出願番号）：特開2001-250949
出願日： 2000年03月02日
公開日（公表日）： 2001年09月14日
要約：

【要約】【課題】 逆スタガ型TFTにおいて、薄膜の応力を用いてしきい値電圧を制御する。【解決手段】 基板上に形成された電極上に設けられた第1の絶縁層の応力と膜厚の積と、前記第1の絶縁層上に設けられた引張り応力を有する結晶質半導体膜からなる活性層の応力と膜厚の積と、前記活性層上に設けられた第2の絶縁層の応力と膜厚の積を適当な大きさに設定することでしきい値電圧を制御する。

請求項（抜粋）：

絶縁表面上に形成された電極と、前記電極上に接して設けられた第1の絶縁層と、前記第1の絶縁層上に接して設けられた島状半導体膜からなる活性層と、前記活性層上に接して設けられた前記第2の絶縁層とを有したTFTを用い、前記活性層は引っ張り応力を有し、前記第2の絶縁層は圧縮応力を有していることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/8236 ,  H01L 27/088 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092

FI (5件)：

H01L 29/78 618 Z ,  H01L 27/08 311 B ,  H01L 27/08 321 D ,  H01L 29/78 613 A ,  H01L 29/78 619 A

Fターム (47件)：

5F048AB03 ,  5F048AB04 ,  5F048AC02 ,  5F048AC04 ,  5F048BA16 ,  5F048BB09 ,  5F048BB12 ,  5F048BB14 ,  5F048BC06 ,  5F048BD04 ,  5F110AA08 ,  5F110BB04 ,  5F110CC08 ,  5F110DD02 ,  5F110EE01 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110EE44 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF05 ,  5F110FF09 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG06 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG45 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ23 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN14 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN28 ,  5F110NN78 ,  5F110PP01 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ12 ,  5F110QQ24 ,  5F110QQ25

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 特開昭60-052052
  
• 特開昭63-120467
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-008648   出願人：シャープ株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-056945   出願人：ソニー株式会社