特許

J-GLOBAL ID：200903047282297819

化合物半導体ウェハ、発光ダイオード及びその製造方法

発明者： 高橋 健
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 油井 透
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-135993
公開番号（公開出願番号）：特開2009-004766
出願日： 2008年05月23日
公開日（公表日）： 2009年01月08日
要約：

【課題】安価で信頼性の高い化合物半導体ウェハ、発光ダイオード及びその製造方法を提供する。【解決手段】発光層(22)を含む化合物半導体結晶層(2)と導電性基板(6)とが金属層(5)を介して接合された構造を有する発光ダイオードにおいて、前記金属層(5)が、前記化合物半導体結晶層(2)の一方の主表面に形成された第1金属層(51)と、前記導電性基板(6)の一方の主表面に形成された第2金属層(53)とを有し、且つ、前記第1金属層(51)と前記第2金属層(53)の間に、平均粒径lnm〜l00nmの金属微粒子が互いに結合して構成された金属微粒子層(52)を有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

化合物半導体結晶層と導電性基板とが金属層を介して接合された構造を有する化合物半導体ウェハにおいて、 前記金属層が、平均粒径lnm〜l00nmの金属微粒子が互いに結合して構成された金属微粒子層を含むことを特徴とする化合物半導体ウェハ。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (1件)：

H01L33/00 E

Fターム (9件)：

5F041AA40 ,  5F041AA43 ,  5F041CA35 ,  5F041CA37 ,  5F041CA46 ,  5F041CA84 ,  5F041CA92 ,  5F041CA93 ,  5F041CA98

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 発光ダイオード及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-164818   出願人：日立電線株式会社
• 発光素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-160696   出願人：信越半導体株式会社