特許
J-GLOBAL ID：200903047285408344

半導体装置およびその製造方法

発明者：
小林 裕通

小林 裕通 について

, 
佐々木 孝典

佐々木 孝典 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 高田 守 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-197552
公開番号（公開出願番号）：特開2002-016131
出願日： 2000年06月30日
公開日（公表日）： 2002年01月18日
要約：
【要約】【課題】 本発明はCMPで平坦化される分離領域を有する半導体装置に関し、大きな分離領域が存在する場合に活性領域の仕上がり状態にばらつきが生ずるのを防止することを目的とする。【解決手段】 半導体ウェハ上に、活性領域12を分離する分離領域10を設ける。所定の大きさを超える非活性領域の中には、分離領域10を取り囲むように環状のダミーパターン20を設ける。その非活性領域を取り巻く活性領域12とダミーパターン20との間には、所定幅を超えない分離領域を確保する。
請求項（抜粋）：
分離領域により区分された活性領域を備える半導体装置であって、所定の大きさを超える非活性領域の中に、分離領域を取り囲むように環状に配置されたダミーパターンを備え、前記非活性領域を取り巻く活性領域と前記ダミーパターンとの間には、所定幅を超えない分離領域が確保されていることを特徴とする半導体装置。
Fターム (5件)：
5F032AA34 ,  5F032AA44 ,  5F032AA77 ,  5F032BA02 ,  5F032DA33
引用特許：
審査官引用 (4件)
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