特許

J-GLOBAL ID：200903047289288360

レジストアッシング装置

発明者： 梶 原 愼 二
出願人/特許権者： 株式会社芝浦製作所
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-019329
公開番号（公開出願番号）：特開平10-223606
出願日： 1997年01月31日
公開日（公表日）： 1998年08月21日
要約：

【要約】【課題】 安定したプロセス性能を維持できると共に、高ドーズ注入後のレジストであっても適切に処理することができるレジストアッシング装置を提供する。【解決手段】 真空容器1の内部に反応室2を形成し、この反応室2に隣接してプラズマ発生室3を形成する。プラズマ発生室3にマイクロ波を導入するためのマイクロ波導入窓部材6を設ける。真空容器1の内部に被処理物Wを保持すると共に、被処理物Wとプラズマ発生室3との間隔を調節するための可動保持手段12を設ける。真空容器1の内部に被処理物Wを保持すると共に、被処理物Wを加熱するための加熱保持手段15を設ける。可動保持手段12と加熱保持手段15との間で被処理物Wを授受することができる。

請求項（抜粋）：

内部を真空排気できる真空容器と、前記真空容器の内部に形成された反応室と、前記反応室に隣接して形成されたプラズマ発生室と、前記プラズマ発生室にマイクロ波を導入するためのマイクロ波導入窓部材と、前記真空容器の内部に被処理物を保持すると共に、前記被処理物と前記プラズマ発生室との間隔を調節するための可動保持手段と、前記真空容器の内部に前記被処理物を保持すると共に、前記被処理物を加熱するための加熱保持手段と、を備え、前記可動保持手段と前記加熱保持手段との間で前記被処理物を授受し得ることを特徴とするレジストアッシング装置。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/266

FI (2件)：

H01L 21/302 H ,  H01L 21/265 M

引用特許：

審査官引用 (4件)

• プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-279197   出願人：ソニー株式会社
• 特開平4-213822
  
• 特開平4-225226
  
• 特開昭57-041374