特許
J-GLOBAL ID：200903047309182954

絶縁体層の加工方法

発明者：
芹澤 徹

芹澤 徹 について


出願人/特許権者：
大日本印刷株式会社

大日本印刷株式会社 について


代理人 (1件)： 金山 聡
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-043827
公開番号（公開出願番号）：特開2000-241987
出願日： 1999年02月22日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：
【要約】【課題】 所定形状の開口部を有するレジスト層を耐エッチングマスクとして、ハロゲン系化合物からなる反応性ガスを用いたプラズマエッチングにて、絶縁体層を加工する方法で、プラズマ耐性の高い副生成物をレジスト表面に発生させない、絶縁体層の加工方法を提供する。【解決手段】 所定形状の開口部を有するレジスト層を耐エッチングマスクとして、ハロゲン系化合物からなる反応性ガスを用いたプラズマエッチングにて、絶縁体層を加工する方法であって、アクリル系のレジストを用い、フォトリソ法で、前記所定形状のレジスト層を形成するもので、且つ、現像液として、ナトリウムやカリウム等のアルカリ金属を含まないアミン系の有機アルカリ現像液を用いて、レジスト層を形成する。
請求項（抜粋）：
所定形状の開口部を有するレジスト層を耐エッチングマスクとして、ハロゲン系化合物からなる反応性ガスを用いたプラズマエッチングにて、絶縁体層を加工する方法であって、アクリル系のレジストを用い、フォトリソ法で、前記所定形状の開口部を有するレジスト層を形成するもので、且つ、現像液として、ナトリウムやカリウム等のアルカリ金属を含まないアミン系の有機アルカリ現像液を用いて、レジスト層を形成することを特徴とする絶縁体層の加工方法。
IPC (3件)：
G03F 7/32 ,  G03F 7/40 521 ,  H05K 3/00
FI (3件)：
G03F 7/32 ,  G03F 7/40 521 ,  H05K 3/00 K
Fターム (10件)：
2H096AA25 ,  2H096AA26 ,  2H096BA05 ,  2H096EA02 ,  2H096GA08 ,  2H096GA09 ,  2H096HA15 ,  2H096HA23 ,  2H096HA24 ,  2H096LA09
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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