パターン形成方法及び感光性組成物

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：則近憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-042963
公開番号（公開出願番号）：特開平7-253669
出願日： 1994年03月15日
公開日（公表日）： 1995年10月03日
要約：

【要約】【構成】本発明は、構造中に露光により分解または架橋する基を含み芳香族基を含まずかつ高分子である第1の化合物と、芳香族環を含みかつ低分子である第2の化合物と、を含有する感光性層を基板上に形成する工程と;感光性層を露光する工程と;現像処理する工程とを具備し、第2の工程以降に第1の化合物と第2の化合物との結合を生じせしめることを特徴とするパターン形成方法である。【効果】本発明のパターン形成方法及び感光性組成物によれば、短波長の露光光源を採用した場合においても、高解像度かつドライエッチング耐性に優れたレジストパターンを安定して形成し得ることができる。

請求項（抜粋）：

構造中に露光により分解または架橋する基を含み芳香環を含まずかつ高分子である第1の化合物と、構造中に第1の化合物と結合し得る基と芳香環を含みかつ低分子である第2の化合物とを含有する感光性層を基板上に形成する第1の工程と;感光性層に化学放射線をパターン露光し、感光性層において光化学反応を生じせしめる第2の工程と;露光後の感光性層を現像処理し感光性層の露光部を選択的に除去または残存せしめる第3の工程と;を具備し、かつ第2の工程以降に第1の化合物と第2の化合物との結合を生じせしめる処理を行う工程を行うことを特徴とするパターン形成方法。

IPC (7件)：

G03F 7/039 501 , G03F 7/038 505 , G03F 7/30 , G03F 7/40 501 , G03F 7/40 521 , H01L 21/027 , H01L 21/3065

FI (2件)：

H01L 21/30 502 R , H01L 21/302 J

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開平2-257624
特開平4-111423
特開昭58-197819

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