特許

J-GLOBAL ID：200903047335673354

回路内蔵受光素子、その製造方法および該受光素子を用いた光学装置

発明者： 谷 善彦 ,  林田 茂樹 ,  森岡 達也 ,  柿本 誠三 ,  福島 稔彦
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-127655
公開番号（公開出願番号）：特開2002-064218
出願日： 2001年04月25日
公開日（公表日）： 2002年02月28日
要約：

【要約】【課題】 短波長の光に対して高い感度および速い応答性を有し、高い歩留まりで生産できる回路内蔵受光素子を提供する。【解決手段】 回路内蔵受光素子は、半導体基板1と、その上に形成される半導体層2と、半導体層2に形成された信号を送るための導電性不純物領域3とを含む。半導体層2には、基板1に至る深さを有するトレンチが形成されている。トレンチの底部で露出された半導体基板1の表面に、受光素子14の不純物領域3が形成されている。受光素子14からの電気信号を処理するための信号処理回路15が半導体成長層2上に形成されている。受光素子14からの電気信号を信号処理回路15へ伝送するための導電性不純物領域3は、トレンチの底部から半導体成長層2の上面まで至るように形成されている。

請求項（抜粋）：

半導体基板、前記半導体基板上に形成された受光素子、および前記受光素子からの電気信号を処理するための回路を備える回路内蔵受光素子であって、前記半導体基板上に成長された、前記回路がその上に形成されている、半導体層と、前記半導体層に形成された、前記半導体基板に至る深さを有する、トレンチと、前記トレンチの底部において露出されている前記半導体基板の表面に形成された、前記受光素子を構成する、受光素子不純物領域と、前記受光素子からの電気信号を前記回路に送るため、前記受光素子不純物領域から前記半導体層の上面に至る、導電性不純物領域とを備える、回路内蔵受光素子。

IPC (2件)：

H01L 31/10 ,  H01L 27/14

FI (3件)：

H01L 31/10 A ,  H01L 27/14 K ,  H01L 31/10 G

Fターム (22件)：

4M118AA10 ,  4M118AB10 ,  4M118BA06 ,  4M118CA02 ,  4M118EA20 ,  4M118FA06 ,  4M118FA08 ,  5F049MA02 ,  5F049MB03 ,  5F049MB12 ,  5F049NA03 ,  5F049NA08 ,  5F049NB03 ,  5F049NB08 ,  5F049PA09 ,  5F049PA10 ,  5F049PA14 ,  5F049PA20 ,  5F049QA02 ,  5F049SS03 ,  5F049SZ02 ,  5F049UA12

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平1-232774
  
• 赤外線撮像装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-321317   出願人：三菱電機株式会社