特許
J-GLOBAL ID：200903047340154187
半導体発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長門 侃二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-028300
公開番号（公開出願番号）：特開平11-233827
出願日： 1998年02月10日
公開日（公表日）： 1999年08月27日
要約：
【要約】【課題】 3原色の光の発光部が同一基板の上に縦型構造で集積されている半導体発光素子を提供する。【解決手段】 3原色のいずれか1つの光を発光する発光層32b,52b,62bを有する3種類の半導体積層構造3,5,6が同一基板1の上に順次積層されている半導体発光素子であって、前記発光層32b,52b,62bは、それぞれ、組成が異なるGaN系化合物半導体から成り、具体的には、前記発光層がGaNP系またはGaNInAs系化合物半導体から成り、また、前記発光層がGaNP系化合物半導体から成り、前記半導体積層構造の間にはCドープGaN,ダイヤモンド,ダイヤモンド状カーボン,またはAlNから成る絶縁層41,42が介装されている。
請求項（抜粋）：
3原色のいずれか1つの光を発光する発光層を有する3種類の半導体積層構造が同一基板の上に順次積層されている半導体発光素子であって、前記発光層は、それぞれ、組成が異なるGaN系化合物半導体から成ることを特徴とする半導体発光素子。
FI (2件)：
H01L 33/00 F
, H01L 33/00 C
