半導体装置および半導体発光素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：福島祥人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-120281
公開番号（公開出願番号）：特開平8-316581
出願日： 1995年05月18日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：

【要約】【目的】 GaN系成長層に対する格子不整合率が小さく、かつ格子不整合率の増大を抑制しつつバンドギャップを小さくすることが可能な活性層を有する半導体装置を提供することである。【構成】サファイア基板1上にGaNバッファ層2、n-GaN層3、n-Al0.15Ga0.85Nクラッド層4、GaN1-Y PY 活性層5、p-Al0.15Ga0.85Nクラッド層6、p-GaN層7およびp-GaN1-Y PY コンタクト層8を順に形成する。活性層の材料としてGaN1-Y PY を用いることによりAl0.15Ga0.85Nクラッド層4,6に対する活性層の格子不整合率を小さくする。p-GaN1-Y PY コンタクト層8をp-GaN層7とp側電極9との間に挿入することにより、p-GaN層7との格子不整合率の増大を抑制しつつ良好なオーミック特性を得る。

請求項（抜粋）：

ガリウム、アルミニウムおよびインジウムの少なくとも1つを含む窒化物半導体と、ガリウム、アルミニウムおよびインジウムの少なくとも1つと窒素および燐を含む混晶半導体とのヘテロ構造からなる半導体層を含むことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 C

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開平4-236477
半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-141750 出願人：株式会社日立製作所
特開平4-192585

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