特許

J-GLOBAL ID：200903047390388278

多層配線基板及び半導体素子収納用パッケージ

発明者： 四方 邦英
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-102702
公開番号（公開出願番号）：特開平8-051283
出願日： 1995年04月26日
公開日（公表日）： 1996年02月20日
要約：

【要約】【目的】半導体素子と近似の熱膨張係数を有し、且つコンデンサ部を具備し、大型の半導体素子を実装できる多層配線基板及び半導体素子収納用パッケージを提供する。【構成】ムライトを主成分とするセラミックスからなる絶縁層2の表面あるいは絶縁層2間にメタライズ配線層7が配設されたセラミック絶縁基板の内部または表面に、ムライトと、W、Mo、Re及びZrO2 から選ばれる少なくとも1種の高誘電率付与剤を含有する高誘電体層3を一対の電極4、5により挟持してなるコンデンサ部6を積層配設した多層配線基板および半導体素子収納用パッケージを得る。

請求項（抜粋）：

ムライトを主成分とするセラミックスからなる絶縁層の表面あるいは絶縁層間にメタライズ配線層が配設されたセラミック絶縁基板の内部または表面に、ムライトと、W、Mo、Re及びZrO2 から選ばれる少なくとも1種の高誘電率付与剤を含有する高誘電体層を一対の電極により挟持してなるコンデンサ部を積層配設したことを特徴とする多層配線基板。

IPC (3件)：

H05K 3/46 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/14

FI (2件)：

H01L 23/12 N ,  H01L 23/14 Z

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 特開平3-087091
  
• 誘電体磁器組成物及び多層アルミナ質配線基板並びに半導体素子収納用パッケージ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-230993   出願人：京セラ株式会社
• 多層アルミナ質配線基板及び半導体素子収納用パッケージ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-230994   出願人：京セラ株式会社
• 特開平4-114961