特許

J-GLOBAL ID：200903047396515409

新規な誘電体の形成

発明者： 名取 栄治 ,  西川 尚男 ,  森井 克行
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 稲葉 良幸 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-350512
公開番号（公開出願番号）：特開2001-168295
出願日： 1999年12月09日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
要約：

【要約】【解決課題】 低Fc化とともに光照射によるパターニングが可能な誘電体を提供する。【解決手段】 光官能性樹脂に有機強誘電体を分散させる。

請求項（抜粋）：

光官能性樹脂内に誘電体材料を分散させてなる誘電体。

IPC (5件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  C08J 5/00 CEY ,  C08L101/00

FI (4件)：

H01L 27/10 451 ,  C08J 5/00 CEY ,  C08L101/00 ,  H01L 27/10 651

Fターム (32件)：

4F071AA22 ,  4F071AA26 ,  4F071AA33 ,  4F071AA34 ,  4F071AG28 ,  4F071AH12 ,  4F071BA03 ,  4F071BB02 ,  4F071BC02 ,  4F071BC12 ,  4J002BC03W ,  4J002BC12W ,  4J002BD12X ,  4J002BD14X ,  4J002BG06W ,  4J002BG09X ,  4J002GH00 ,  4J002GQ00 ,  4J002HA06 ,  5F083FR01 ,  5F083GA06 ,  5F083HA02 ,  5F083JA01 ,  5F083JA43 ,  5F083JA44 ,  5F083JA56 ,  5F083JA58 ,  5F083LA06 ,  5F083PR23 ,  5F083PR38 ,  5F083PR42 ,  5F083PR52

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 情報記録媒体および情報記録方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-008607   出願人：富士写真フイルム株式会社
• 強/高誘電体集積回路とその製作方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-199502   出願人：三菱マテリアル株式会社, シンメトリックス・コーポレイション
• 強誘電体薄膜微細パターン形成剤及び強誘電体薄膜微細パターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-299289   出願人：ローム株式会社