特許
J-GLOBAL ID：200903047410512388
半導体集積回路装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-277450
公開番号（公開出願番号）：特開平8-139320
出願日： 1994年11月11日
公開日（公表日）： 1996年05月31日
要約：
【要約】【目的】 半導体集積回路装置のゲート電極の異常酸化を防止し、安定した特性を得る。【構成】 nウェル層1aおよびpウェル層1b上にパッド酸化膜2を形成し、パッド酸化膜2上にp型ポリシリコン層3aおよびn型ポリシリコン層3bを形成し、p型ポリシリコン層3a、n型ポリシリコン層3bおよびパッド酸化膜2に溝8を形成し、溝8の側面にポリシリコンのサイドウォール9を形成し、p型ポリシリコン層3aおよびn型ポリシリコン層3bからの不純物の熱拡散によって、サイドウォール9直下のnウェル層1aおよびpウェル層1bにp型およびn型のソース/ドレイン領域10,11を形成する工程と、溝8の内面にゲート酸化膜12を形成し、溝8内にゲート電極13を埋め込む工程とを含む。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板上に形成されたシリコン層と、前記シリコン層に形成された溝と、前記溝の側面に形成されたサイドウォールと、前記サイドウォール直下の前記半導体基板に形成された第2導電型のソース/ドレイン領域と、前記サイドウォールを含む前記溝の内面に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上の前記溝内に形成されたゲート電極とを具備したことを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (6件)：
H01L 29/78
, H01L 21/768
, H01L 21/8238
, H01L 27/092
, H01L 21/336
, H01L 29/786
H01L 29/78 301 X
, H01L 21/90 D
, H01L 27/08 321 E
, H01L 29/78 301 P
, H01L 29/78 616 L
