特許

J-GLOBAL ID：200903047445010679

半導体の個別化を行う方法および装置

発明者： サンドストレーム、トルビュエールン
出願人/特許権者： マイクロニック レーザー システムズ アクチボラゲット
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-540838
公開番号（公開出願番号）：特表2003-515930
出願日： 2000年11月24日
公開日（公表日）： 2003年05月07日
要約：

【要約】標準プロセスの半導体デバイス内のパターンに小さな修正を加えるシステム。修正は、パターンの大きな不変部分に対して同じパターンの小さな可変部分を作るように行われる。好ましい実施形態では、可変部分および不変部分の露光は、同じ組み合わされたステッパとコードライタで同じ波長を使用して行われる。本発明は、自動式で、安価で、さらに危険のない、チップの可変部分を描画する方法を発明する。また、ダイ固有のパターンの自動設計および製造を行うシステムも示す。

請求項（抜粋）：

シリアル・ナンバーまたは隠された暗号化キーのような、チップごとに異なるチップ固有の情報を除いて、同じ機能を有する超小型電子デバイスの設計および製造の方法であって、 マスクまたはレチクルを使用する光学ステッパを用いて前記超小型電子デバイスの少なくとも一層を露光して、同じ加工物またはウェハの少なくとも2つのダイの間で不変である部分パターンを形成するステップと、 光学パターン生成器を使用して前記超小型電子デバイスの同じ少なくとも一層を露光して、前記チップ固有の情報を含んだ、前記少なくとも2つのダイの間で可変な部分パターンを形成するステップとを含む方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/08 ,  G03F 7/20 521

FI (5件)：

G03F 1/08 R ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 514 A ,  H01L 21/30 514 F ,  H01L 21/30 515 F

Fターム (8件)：

2H095BA02 ,  2H095BA08 ,  2H095BE04 ,  2H095BE07 ,  5F046AA11 ,  5F046AA16 ,  5F046CB18 ,  5F046DA11

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭63-283021
  
• 照明光学系および該光学系を備えた露光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-139936   出願人：株式会社ニコン
• 特開昭63-283021