特許

J-GLOBAL ID：200903047450259189

多結晶セラミックス磁性体材料及びこれを用いた高周波回路部品

発明者： 井上 修 ,  竹内 孝之 ,  飯島 賢二 ,  釘宮 公一
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-085709
公開番号（公開出願番号）：特開平8-288116
出願日： 1995年04月11日
公開日（公表日）： 1996年11月01日
要約：

【要約】【目的】主組成として、イットリウム(Y)または稀土類金属元素の1種類以上と、ビスマス(Bi)と鉄(Fe)と酸素(O)を少なくとも含み、ガーネット型構造を有する相を主成分とする多結晶セラミックスとすることにより、低温焼成可能なマイクロ波用磁性体材料とこれを用いた高周波回路部品を提供する。【構成】 出発原料として高純度のY2O3、Bi2O3、α-Fe2O3粉末を用い、焼結体の最終組成が(Y2O3+Bi2O3):Fe2O3=3:5のmol比となるようにボールミルにて混合し、仮焼した後粉砕し、この仮焼粉末を成形後、本焼成しガーネット円板状試料12を得る。Ag製のY形状のストリップライン13の上下に円板状試料12を置き、さらに上下からSrフェライト円板11ではさみ、磁性金属ケースに納め、ストリップラインの一つの端部にターミネータ用抵抗を接続して、分布定数型Yストリップラインアイソレータを形成する。

請求項（抜粋）：

主組成として、イットリウム(Y)または稀土類金属元素の1種類以上と、ビスマス(Bi)と鉄(Fe)と酸素(O)を少なくとも含み、ガーネット型構造を有する相を主成分とする多結晶セラミックス磁性体材料。

IPC (8件)：

H01F 1/34 ,  C01G 49/00 ,  C30B 29/28 ,  H01F 17/00 ,  H01P 1/32 ,  H01P 1/38 ,  H01P 1/383 ,  H01P 1/387

FI (8件)：

H01F 1/34 J ,  C01G 49/00 D ,  C30B 29/28 ,  H01F 17/00 B ,  H01P 1/32 ,  H01P 1/38 ,  H01P 1/383 A ,  H01P 1/387

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 高密度YIG多結晶フェライトの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-093805   出願人：太陽誘電株式会社
• 特開平4-208501
  
• マイクロ波アイソレータおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-162852   出願人：富士電気化学株式会社
• 特開平3-253008
  
• 特開平3-159919