半導体薄膜の形成方法および半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：木村高久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-068880
公開番号（公開出願番号）：特開平5-109637
出願日： 1992年03月26日
公開日（公表日）： 1993年04月30日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】一度に多量のウェハに対しても膜厚およびボロン濃度等の特性の均一なボロン添加の多結晶シリコン膜を形成する方法を提供する。【構成】基板1表面に、150°Cから450°Cの低温下で、高次シランとジボランの熱分解により化学的気相成長法でボロンを含む非晶質シリコン膜4を堆積する。

請求項（抜粋）：

基板表面に、150°Cから450°Cの低温下で、高次シランとジボランの熱分解により化学的気相成長法でボロンを含む非晶質シリコン膜を堆積することを特徴とする半導体薄膜の形成方法。

IPC (6件)：

H01L 21/205 , H01L 21/3205 , H01L 21/90 , H01L 27/108 , H01L 21/336 , H01L 29/784

FI (3件)：

H01L 21/88 B , H01L 27/10 325 D , H01L 29/78 301 P

引用特許：

審査官引用 (4件)

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