特許
J-GLOBAL ID:200903047520004396

プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 西川 惠清 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-089125
公開番号(公開出願番号):特開2000-286094
出願日: 1999年03月30日
公開日(公表日): 2000年10月13日
要約:
【要約】【課題】 外側電極と内側電極の周辺近傍における高周波ノイズを低減することができるプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】 外側電極1を備えた筒状の反応管2、及び反応管2の内部に配置される内側電極3を具備して構成される。反応管2に不活性ガスまたは不活性ガスと反応ガスの混合気体を導入すると共に外側電極1と内側電極3の間に交流電界を印加することにより大気圧下で反応管2の内部にグロー放電を発生させる。反応管2からプラズマジェットを吹き出すようにするプラズマ処理装置に関する。高周波電流が流れるループの大きさを小さくすることができる。
請求項(抜粋):
外側電極を備えた筒状の反応管、及び反応管の内部に配置される内側電極を具備して構成され、反応管に不活性ガスまたは不活性ガスと反応ガスの混合気体を導入すると共に外側電極と内側電極の間に交流電界を印加することにより大気圧下で反応管の内部にグロー放電を発生させ、反応管からプラズマジェットを吹き出すようにするプラズマ処理装置において、外側電極と内側電極の間に交流電界を印加するための高周波電力の高電圧側を外側電極に接続し、内側電極と接続される接地電極を外側電極の近傍に設けて成ることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (3件):
H05H 1/30 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/3065
FI (3件):
H05H 1/30 ,  C23C 16/50 F ,  H01L 21/302 B
Fターム (15件):
4K030DA03 ,  4K030FA03 ,  4K030JA03 ,  4K030KA09 ,  5F004AA06 ,  5F004AA14 ,  5F004AA16 ,  5F004BA03 ,  5F004BA20 ,  5F004BB13 ,  5F004BC03 ,  5F004BC08 ,  5F004CA09 ,  5F004DA01 ,  5F004DA26
引用特許:
審査官引用 (5件)
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