特許
J-GLOBAL ID:200903047520082958

太陽電池及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 河野 登夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-086709
公開番号(公開出願番号):特開2003-282905
出願日: 2002年03月26日
公開日(公表日): 2003年10月03日
要約:
【要約】【課題】 光閉じ込め効果を得るためのシリコン基板の片面または両面の凹凸形状を最適化することにより、良好な出力特性を実現する太陽電池及びその製造方法を提供する。【解決手段】 シリコン基板1の凹凸形状に加工した両面に非晶質半導体の積層体2,12及び透光性導電膜3,13が形成されており、更に透光性導電膜3,13上に導電ペーストの印刷によって集電極4,14が形成されている。シリコン基板1の凹凸度(シリコン基板1の重量と、シリコン基板1の両面における凹部をシリコン基板1と同材料で埋めて平坦面と仮定したシリコン板の重量との差のシリコン基板1の重量に対する割合)が、10〜30%である。集電極4,14による遮光の影響を低減すべく、その幅を130μm程度以下にしても、集電極4,14の抵抗は大きくならない。
請求項(抜粋):
厚さ方向の片面または両面を凹凸形状にしたシリコン基板の前記片面側または両面側に、導電ペーストの印刷によって形成された集電極を有する太陽電池において、凹凸度(但し、前記シリコン基板の重量と、前記シリコン基板の前記片面または両面における凹部を前記シリコン基板と同材料で埋めて平坦面と仮定したシリコン板の重量との差の前記シリコン基板の重量に対する割合を凹凸度と定義する)が、5×A(%)〜15×A(%)(但し、凹凸形状が片面である場合にA=1、凹凸形状が両面である場合にA=2)であることを特徴とする太陽電池。
FI (2件):
H01L 31/04 H ,  H01L 31/04 M
Fターム (8件):
5F051AA03 ,  5F051AA05 ,  5F051DA07 ,  5F051EA15 ,  5F051FA10 ,  5F051FA14 ,  5F051GA02 ,  5F051GA14
引用特許:
審査官引用 (2件)

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