特許

J-GLOBAL ID：200903047538448917

薄膜ガスセンサ

発明者： 宮田 浩一 ,  橘 武史 ,  横田 嘉宏 ,  林 和志 ,  高田 義
出願人/特許権者： 株式会社神戸製鋼所 ,  新コスモス電機株式会社
代理人 (1件)： 藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-139341
公開番号（公開出願番号）：特開平11-326257
出願日： 1998年05月21日
公開日（公表日）： 1999年11月26日
要約：

【要約】【課題】 ホスフィン、ジボラン及びシラン等のように、人体に対し毒性が高いガスの漏洩が生じた場合にも、ガス濃度が低い段階(例えば0.1ppm)でこれを検出することができる高感度の薄膜ガスセンサを提供する。【解決手段】 基板4上に、アンドープ・ダイヤモンド層1及びp型半導体ダイヤモンド層2が積層され、このp型半導体ダイヤモンド層2上に、その電気抵抗の変化を検出する1対の電極6が設けられている。このp型半導体ダイヤモンド層2にはボロンが原子濃度1016乃至1019/cm3でドーピングされ、その厚さが50nm乃至1μmである。

請求項（抜粋）：

アンドープ・ダイヤモンド層と、このアンドープ・ダイヤモンド層上に形成されたp型半導体ダイヤモンド層と、このp型半導体ダイヤモンド層における電気抵抗の変化を検出する1対の電極とを有し、この電極の検出結果によりガスの存在又はその濃度を検知することを特徴とする薄膜ガスセンサ。

IPC (2件)：

G01N 27/12 ,  G01N 27/04

FI (3件)：

G01N 27/12 B ,  G01N 27/12 C ,  G01N 27/04 D

引用特許：

出願人引用 (4件)

• ガスセンサおよびガス検出装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-094780   出願人：学校法人東海大学, ニッタン株式会社
• 半導体式ガスセンサー
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-196829   出願人：三井鉱山株式会社
• 酸ミストセンサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-056912   出願人：学校法人東海大学
• ガスセンサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-061327   出願人：大阪府, 株式会社クボタ, 株式会社島津製作所, ホーチキ株式会社, 株式会社堀場製作所, 松下電器産業株式会社

審査官引用 (1件)

• ガスセンサおよびガス検出装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-094780   出願人：学校法人東海大学, ニッタン株式会社