特許

J-GLOBAL ID：200903047553074683

化合物半導体装置及びその製造方法

発明者： 三好 陽介
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 西村 征生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-114605
公開番号（公開出願番号）：特開平10-308351
出願日： 1997年05月02日
公開日（公表日）： 1998年11月17日
要約：

【要約】【課題】 製造装置とプロセスの複雑化を招くことなく、一段と耐久性に優れる化合物半導体装置を実現する。【解決手段】 開示される化合物半導体装置には素子能動層2が形成されたGaAs基板1とSiO2膜7との界面部分に、シリコン界面制御層としてのエピタキシャル成長シリコン層5と、酸化バッファ層としてのアモルハァスシリコン層6とが設けられている。

請求項（抜粋）：

化合物半導体基板上に素子能動層を形成し、該素子能動層が形成された半導体基板上に高抵抗膜を成膜した化合物半導体装置において、前記素子能動層が形成された半導体基板と高抵抗膜との界面部分に、エピタキシャル成長シリコン層と、該シリコン層上に形成されたアモルハァスシリコン層とを有することを特徴とする化合物半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/20 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (4件)：

H01L 21/20 ,  H01L 29/78 626 C ,  H01L 29/78 627 G ,  H01L 29/80 B

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-227810   出願人：日本鉱業株式会社
• 特開平3-240265