特許
J-GLOBAL ID：200903047558461731
ビアホール形成法及びフィルム切断法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-174413
公開番号（公開出願番号）：特開平7-308791
出願日： 1994年07月26日
公開日（公表日）： 1995年11月28日
要約：
【要約】【目的】 LSI等の高密度実装用配線基板に用いられる絶縁フィルムへのビアホール形成法及びフィルム切断法において、20μm 以下の微細なビアホール形成が可能で、従来のメカニカルなドリル法や切断法以上の高速なスループットが得られ、かつ工程が単純で、不良発生のおそれが極めて小さい、優れた加工法を提供する。【構成】 第1の本発明は、?@基板表面にレーザ光を吸収する薄い層を形成する工程と、?A基板上のビアホール形成を行う場所にレーザ光を照射する工程と、?Bレーザ光を照射した基板を超音波洗浄する工程からなる。第2の本発明は、?@絶縁フィルムの吸収波長域にあるレーザ光を、基板上のビアホール形成を行う場所に照射する工程と、?Aレーザ光を照射した基板を超音波洗浄する工程からなる。
請求項（抜粋）：
有機物質を含有する絶縁フィルムからなる基板へのビアホール形成法において、レーザ光をビアホール形成を行う基板の所要部に照射し、照射による基板の温度上昇を介して、基板のレーザ光照射部を変性、熱分解、熱分解に伴うガス発生のいずれかの反応を起こさせた後、超音波洗浄を行うことを特徴とするビアホール形成法。
IPC (6件)：
B23K 26/00 330
, B23K 26/00 320
, B23K 26/16
, B23K 26/18
, H05K 3/00
, H05K 3/46
