特許
J-GLOBAL ID：200903047566716978
半導体素子及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松尾 憲一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-112800
公開番号（公開出願番号）：特開2005-302805
出願日： 2004年04月07日
公開日（公表日）： 2005年10月27日
要約：
【課題】支持基板に貼着した半導体基板をダイシングカットして形成する半導体装置及びその製造方法において、製造コストの低減及び製造に要する時間の短縮化が可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】支持基板10上に接着層20を介して着設した半導体基板30に半導体回路を形成した後に、半導体素子を支持基板20ごとダイシングカットして形成した半導体素子40及びその製造方法であって、接着層20を、前記半導体回路の形成工程における加熱条件よりも高い温度によって粘着力が消失する接着剤を用いて形成する。または、接着層20を、半導体回路の形成工程で使用する薬液の使用温度より高い温度とした液体で溶解する接着剤を用いて形成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
支持基板上に接着層を介して着設した半導体基板に半導体回路を形成した後に、前記半導体素子を前記支持基板ごとダイシングカットして形成した半導体素子であって、
前記接着層を、前記半導体回路の形成工程における加熱条件よりも高い温度によって粘着力が消失する接着剤を用いて形成した半導体素子。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L21/78 M
, H01L21/78 P
