素子の転写方法、素子の製造方法、集積回路、回路基板、電気光学装置、ICカード、及び電子機器

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：稲葉良幸 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-214283
公開番号（公開出願番号）：特開2003-142666
出願日： 2002年07月23日
公開日（公表日）： 2003年05月16日
要約：

【要約】【課題】剥離転写技術を用いて、可撓性、耐衝撃性に優れた基板を半導体素子上に直接形成可能な半導体装置の製造方法を提供する。製造される半導体装置に接着層を含まないようにした半導体装置を提供する。【解決手段】素子形成基板(1)上に分離層(2)を形成し、分離層上に電気素子を含む素子形成層(3)を形成し、素子形成層を溶解可能な接合層(4)を介して仮転写基板(5)に接合し、分離層の結合力を弱めて素子形成基板から素子形成層を分離し、これを仮転写基板(5)側に移動し、仮転写基板(5)に移動された素子形成層(3)上に硬化性樹脂(6)を塗布し、これを硬化して転写基板(6)を形成し、接合層(4)を溶解して転写基板(6)から仮転写基板(5)を分離する。それにより、素子形成層(3)上に直接転写基板を形成する構造が得られる。

請求項（抜粋）：

素子を形成するための素子形成基板上に、一定条件を付与されると結合力が弱まる分離層を形成する工程と、前記分離層上に素子を含む素子形成層を形成する工程と、前記素子形成層を溶解可能な接合層を介して仮転写基板に接合する工程と、前記分離層の結合力を弱めて前記素子形成基板から前記素子形成層を分離し、これを前記仮転写基板側に移動する工程と、前記仮転写基板に移動された前記素子形成層上に樹脂を塗布し、これを硬化して転写基板を形成する工程と、前記接合層を溶解して前記転写基板から前記仮転写基板を分離する工程と、を含む、素子の転写方法。

IPC (12件)：

H01L 27/12 , G02F 1/1368 , H01L 21/336 , H01L 21/762 , H01L 21/8238 , H01L 21/8242 , H01L 21/8244 , H01L 27/08 331 , H01L 27/092 , H01L 27/108 , H01L 27/11 , H01L 29/786

FI (10件)：

H01L 27/12 B , G02F 1/1368 , H01L 27/08 331 E , H01L 29/78 627 D , H01L 29/78 613 A , H01L 29/78 612 B , H01L 27/10 381 , H01L 27/10 671 C , H01L 27/08 321 B , H01L 21/76 D

Fターム (81件)：

2H092JA23 , 2H092JA25 , 2H092JB56 , 2H092KA05 , 2H092KB24 , 2H092KB25 , 2H092KB28 , 2H092MA05 , 2H092MA10 , 2H092MA12 , 2H092MA18 , 2H092MA27 , 2H092NA25 , 2H092NA27 , 2H092NA29 , 2H092PA01 , 5F032AA02 , 5F032CA09 , 5F032CA14 , 5F032CA15 , 5F032CA17 , 5F032CA21 , 5F032CA23 , 5F032DA01 , 5F032DA02 , 5F032DA04 , 5F032DA06 , 5F032DA07 , 5F032DA10 , 5F032DA21 , 5F032DA41 , 5F032DA71 , 5F048AA07 , 5F048AB01 , 5F048AC03 , 5F048AC04 , 5F048BA16 , 5F048BC12 , 5F048BC18 , 5F048BG12 , 5F083AD02 , 5F083HA02 , 5F083ZA04 , 5F110AA30 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110BB07 , 5F110BB20 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD06 , 5F110DD07 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD19 , 5F110DD24 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF30 , 5F110FF31 , 5F110FF32 , 5F110GG02 , 5F110GG47 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ13 , 5F110HJ22 , 5F110HJ23 , 5F110HL03 , 5F110HL23 , 5F110NN02 , 5F110NN04 , 5F110NN23 , 5F110NN35 , 5F110NN72 , 5F110QQ16

引用特許：

審査官引用 (12件)

薄膜デバイスの転写・製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-375812 出願人：セイコーエプソン株式会社
特開平4-262576
特開平2-079431

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