特許

J-GLOBAL ID：200903047573111992

強誘電体集積回路とその製造方法

発明者： 宮坂 洋一 ,  古谷 晃 ,  ジョセフ クチアロ ,  カルロス アロージョ
出願人/特許権者： 日本電気株式会社 ,  シンメトリクス コーポレーション
代理人 (1件)： 後藤 洋介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-306963
公開番号（公開出願番号）：特開平11-307734
出願日： 1998年10月28日
公開日（公表日）： 1999年11月05日
要約：

【要約】【課題】 水素の有害な効果を低減することにより金属酸化物の電気的特性を良好に保持する。【解決手段】 基板102上に、保護部分123と犠牲的部分125とを有する金属酸化物材料から成る薄膜124を形成し、保護部分123の上に直接水素バリア層128を形成する。この際、水素バリア層128は犠牲的部分125上には直接形成されない。水素アニール終了後、犠牲的部分125の一部が除去される。

請求項（抜粋）：

強誘電体集積回路を製造する方法において、基板上に、保護部分と犠牲的部分とを有する金属酸化物材料から成る薄膜を形成し、前記金属酸化物材料の薄膜のうち、前記犠牲的部分を除く、前記保護部分を覆うように水素バリア層を形成することを特徴とする強誘電体集積回路の製造方法。

IPC (8件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (4件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-032858   出願人：日本電気株式会社
• 容量素子及びその製造方法、並びに半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-245836   出願人：富士通株式会社
• 容量素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-278688   出願人：松下電子工業株式会社