特許

J-GLOBAL ID：200903085875096401

容量素子及びその製造方法、並びに半導体装置

発明者： 田村 哲朗 ,  能代 英之 ,  中林 正明
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-245836
公開番号（公開出願番号）：特開平9-092795
出願日： 1995年09月25日
公開日（公表日）： 1997年04月04日
要約：

【要約】【課題】 酸化物高誘電体膜を用いた容量素子に係り、電極の加工精度やスループットを改善できる容量素子の構造及び半導体装置を提供する。【解決手段】 一対の電極18、22と、一対の電極18、22の間に形成された誘電体膜20とを有する容量素子において、一対の電極28、22のうち少なくとも一方が、(200)配向した窒化チタンを含む材料により形成されている。

請求項（抜粋）：

一対の電極と、前記一対の電極の間に形成された誘電体膜とを有する容量素子において、前記一対の電極のうち少なくとも一方が、(200)配向した窒化チタンを含む材料により形成されていることを特徴とする容量素子。

IPC (4件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (2件)：

H01L 27/10 651 ,  H01L 27/04 C

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 薄膜キャパシタ及び半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-082091   出願人：株式会社東芝
• キャパシタ、電極構造及び半導体メモリ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-136788   出願人：日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
• 特開昭62-120066
  
• 特開平4-221848