特許

J-GLOBAL ID：200903047615819753

半導体装置及びその製造方法

発明者： 入野 清 ,  大久保 聡 ,  森崎 祐輔 ,  高崎 金剛
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-160936
公開番号（公開出願番号）：特開2000-349287
出願日： 1999年06月08日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
要約：

【要約】【課題】 比誘電率の高いゲート絶縁膜が薄く、しかも均一に形成された半導体装置及びその製造方法を提供する。また、異なる構造のゲート絶縁膜を併有する半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 シリコン窒化膜24を含む第1のゲート絶縁膜16を有する半導体装置の製造方法であって、シリコン基板10上にシリコン酸化膜22を形成する工程と、シリコンとハロゲンとを含む分子を含む雰囲気中で、シリコン酸化膜22を熱処理する工程と、NH3を含む雰囲気中で、シリコン酸化膜22を熱処理する工程と、シリコンを含むガスとNH3とを原料として、シリコン酸化膜22上にシリコン窒化膜24を形成する工程とを有している。

請求項（抜粋）：

シリコン窒化膜を含む第1のゲート絶縁膜を有する半導体装置の製造方法であって、シリコン基板上にシリコン酸化膜を形成する工程と、シリコンとハロゲンとを含む分子を含む雰囲気中で、前記シリコン酸化膜を熱処理する工程と、NH3を含む雰囲気中で、前記シリコン酸化膜を熱処理する工程と、シリコンを含むガスとNH3とを原料として、前記シリコン酸化膜上にシリコン窒化膜を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088

FI (3件)：

H01L 29/78 301 G ,  H01L 21/318 A ,  H01L 27/08 102 C

Fターム (48件)：

5F040DC01 ,  5F040EC01 ,  5F040EC04 ,  5F040EC07 ,  5F040EC13 ,  5F040ED01 ,  5F040ED02 ,  5F040ED03 ,  5F040ED05 ,  5F040EF02 ,  5F040EK05 ,  5F040FA03 ,  5F040FA05 ,  5F040FC19 ,  5F040FC21 ,  5F048AA07 ,  5F048AC01 ,  5F048AC06 ,  5F048BB05 ,  5F048BB08 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BB16 ,  5F048BB17 ,  5F048BC06 ,  5F048BF06 ,  5F048BF07 ,  5F048BF11 ,  5F048BF16 ,  5F048BG13 ,  5F048DA25 ,  5F058BA06 ,  5F058BA20 ,  5F058BD01 ,  5F058BD02 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BD10 ,  5F058BD15 ,  5F058BF24 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BF55 ,  5F058BF62 ,  5F058BH01 ,  5F058BH20 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ10

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-327642   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 特開平3-046267
  
• 半導体デバイス用誘電体構造及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-156625   出願人：ナショナルセミコンダクタコーポレイション