特許

J-GLOBAL ID：200903047617793735

半導体ウエハの熱処理方法

発明者： 宮宇地 浩二 ,  大和田 樹志
出願人/特許権者： ウシオ電機株式会社
代理人 (1件)： 大井 正彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-357059
公開番号（公開出願番号）：特開2003-243320
出願日： 2002年12月09日
公開日（公表日）： 2003年08月29日
要約：

【要約】【課題】 被処理物である半導体ウエハを破損することなく熱処理することのできる半導体ウエハの熱処理方法を提供することにある。【解決手段】 半導体ウエハの熱処理方法は、半導体ウエハを、予備加熱手段により所定温度に予備加熱した後に、閃光放電ランプによって構成される閃光放射手段による加熱によって処理する半導体ウエハの熱処理方法において、閃光放電手段により加熱したときの半導体ウエハの最大引っ張り応力が半導体ウエハ自体の引っ張り限界強度未満となるよう制御された予備加熱温度により、予備加熱手段による加熱を行うことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体ウエハを、予備加熱手段により所定温度に予備加熱した後に、閃光放電ランプによって構成される閃光放射手段による加熱によって処理する半導体ウエハの熱処理方法において、閃光放射手段により加熱したときの半導体ウエハの最大引っ張り応力が半導体ウエハ自体の引っ張り限界強度未満となるよう制御された予備加熱温度により、予備加熱手段による加熱を行うことを特徴とする半導体ウエハの熱処理方法。

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 多結晶半導体の製造方法および製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-246200   出願人：株式会社日本製鋼所

審査官引用 (3件)

• 特開昭59-169125
  
• 閃光照射加熱装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-049021   出願人：ウシオ電機株式会社
• 特開昭59-169125