特許

J-GLOBAL ID：200903047620042830

化合物半導体ウェハ及び半導体装置

発明者： 山田 茂樹 ,  高橋 健 ,  海野 恒弘
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 絹谷 信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-070439
公開番号（公開出願番号）：特開平9-260692
出願日： 1996年03月26日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：

【要約】【課題】 熱処理を行ってもピーク電流密度が低下しない化合物半導体ウェハ及び半導体装置を提供する。【解決手段】 n+ 型化合物半導体層13とp+ 型化合物半導体層15との間に、n+ 層13とp+ 層15とは格子定数が異なり、かつ、化学結合力が強く不純物を添加していないi型化合物半導体層14を形成することにより、n+ 層13とp+ 層15との間の界面におけるウェハ加工時の熱処理によるn型不純物及びp型不純物の拡散が抑止され、不純物濃度の変化の急峻性が保たれることでトンネルピーク電流密度の低下が生じない。また、i層14に、化学結合力が強く、かつ、GaAsとは格子定数の異なるInx Ga1-x As或いはInx Ga1-x Asy P1-y を用いることにより、格子欠陥を介して拡散するn型不純物及びp型不純物の拡散を抑止すると共にトンネルピーク電流密度の低下が生じない。

請求項（抜粋）：

p型不純物を高濃度に添加したp+ 型化合物半導体層と、n型不純物を高濃度に添加したn+ 型化合物半導体層とを接合してトンネル接合を形成した化合物半導体ウェハにおいて、上記p+ 型化合物半導体層と上記n+ 型化合物半導体層との間に、上記p+ 型化合物半導体層と上記n+ 型化合物半導体層とは格子定数が異なり、かつ、化学結合力が強く不純物を添加していないi型化合物半導体層を形成したことを特徴とする化合物半導体ウェハ。

IPC (5件)：

H01L 29/88 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/04

FI (5件)：

H01L 29/88 S ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/203 Z ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/04 E

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-306426   出願人：日本電信電話株式会社