絶縁膜製造装置および製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：谷義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-200000
公開番号（公開出願番号）：特開平9-050991
出願日： 1995年08月04日
公開日（公表日）： 1997年02月18日
要約：

【要約】【課題】 LSIの歩留り向上のため、MOSゲートを覆う絶縁酸化膜の形成を、基板にRFバイアスを印加しつつ行うECRプラズマCVD装置を、成膜中にゲート酸化膜を絶縁不良化させない装置に構成する。【解決手段】基板10上での磁界の径方向成分を30ガウス以下となし得る装置に構成し、RFバイアス印加による基板10表面電界と径方向磁界成分とのベクトル積による周方向の力を小さくして基板10表面近傍プラズマイオンシース中電子の周方向加速を小さくして、プラズマの径方向プラズマ密度分布をなくし電位分布を小さくしてゲート酸化膜にかかる電圧ストレスを小さくする。このための装置構成は、具体的には、例えば、ミラー磁界形成用ソレノイド13、基板近傍の磁気シールド、減磁コイルのECR磁界発生用ソレノイドの基板側同軸配置、ECR磁界発生用ソレノイドの扁平化、等の手段で行う。

請求項（抜粋）：

マイクロ波発生用電源からマイクロ波伝達手段を介してマイクロ波が導入される真空容器と、該真空容器を包囲し、真空容器内にマイクロ波との電子サイクロトロン共鳴磁界領域を形成して該真空容器内へ導入されたガスのマイクロ波によるプラズマ化作用を助けるソレノイドコイルと、真空容器内の基板台上に置かれた被処理基板にRFバイアスを印加するためのRF電源と、真空容器内の排気を行う排気手段とを備えてなり、真空容器内にN2 OまたはO2、およびSiH4 またはSi2 H6 を導入して基板台上の半導体基板表面にSiO2 膜を成長させる絶縁膜製造装置において、成膜時に半導体基板上での磁界の径方向成分が30ガウス以下となる磁界を形成する手段を有することを特徴とする絶縁膜製造装置。

IPC (5件)：

H01L 21/31 , C23C 16/50 , H01L 21/205 , H01L 21/316 , H05H 1/46

FI (5件)：

H01L 21/31 C , C23C 16/50 , H01L 21/205 , H01L 21/316 X , H05H 1/46 C

引用特許：

審査官引用 (12件)

プラズマ処理装置及び装置構成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-185875 出願人：日本電信電話株式会社
絶縁膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-272095 出願人：富士電機株式会社
絶縁膜の製造方法および製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-024173 出願人：富士電機株式会社

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