半導体装置の乾式清浄化方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-178084
公開番号（公開出願番号）：特開平6-084865
出願日： 1993年07月19日
公開日（公表日）： 1994年03月25日
要約：

【要約】【目的】素子形成工程中に基板表面に吸着した汚染金属を容易かつ効果的に気相中にゲッタリングすることが可能な半導体装置の乾式清浄化方法を提供しようとするものである。【構成】半導体基板21または表面に各種の膜が形成された半導体基板21をハロゲンもしくはハロゲン化物を含む非酸化性雰囲気中で600°C以下に温度にて熱処理する工程を具備することを特徴としている。

請求項（抜粋）：

半導体基板または表面に各種の膜が形成された半導体基板をハロゲンもしくはハロゲン化物を含む非酸化性雰囲気中で600°C以下の温度にて熱処理する工程を具備することを特徴とする半導体装置の乾式清浄化方法。

IPC (2件)：

H01L 21/304 341 , H01L 21/302

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平3-064024
特開平3-127830
特開平2-049428

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