特許
J-GLOBAL ID：200903047683770207
アルミニウムのない活性領域を有する短波長VCSEL
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大貫 進介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-247227
公開番号（公開出願番号）：特開平9-107153
出願日： 1996年08月28日
公開日（公表日）： 1997年04月22日
要約：
【要約】【課題】 短波長のVCSELを提供する。【解決手段】 この短波長のVCSELは、複数の対の相対的に高屈折率および低屈折率の層からなる、基板11に配置されたミラー・スタック10と、複数の対の相対的に高屈折率および低屈折率の層からなる第2ミラー・スタック15と、第1スタック10と第2スタック15との間に挟まれた活性領域12であって、前記活性領域は、GaInPの障壁層25,26を間に挟むGaAsPの量子ウェル層20,21,22からなり、量子ウェル20,21,22および障壁層25,26が実質的に等しくかつ反対の格子不整合を有する活性領域12とを含む。
請求項（抜粋）：
短波長の垂直キャビティ表面発光レーザであって:基板(11);前記基板(11)上に配置された第1導電型の第1ミラー・スタック(10)であって、複数の対の相対的に高および低の屈折率の層からなる第1ミラー・スタック(10);第2導電型の第2ミラー・スタック(15)であって、相対的に高および低の屈折率の複数の対の層からなる第2ミラー・スタック(15);および前記第1ミラー・スタック(10)と前記第2ミラー・スタック(15)との間に挟まれた活性領域(12)であって、結晶歪みが等しくかつ反対の結晶歪みを有する交互の歪み層である複数の歪み層からなる活性領域(12);によって構成されることを特徴とする短波長の垂直キャビティ表面発光レーザ。
引用特許：
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