半導体発光素子、半導体レーザ素子、及び画像表示装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-301714
公開番号（公開出願番号）：特開2005-072368
出願日： 2003年08月26日
公開日（公表日）： 2005年03月17日
要約：

【課題】発光層に注入される駆動電流の変化による発光ピーク波長のシフト量を低減することにより色純度に優れた半導体発光素子を提供する。さらに、当該半導体発光素子によって画像表示部を構成し、簡便な駆動回路で優れた画像表示を行うことができる画像表示装置を提供する。【解決手段】発光層であるInGan層16の層厚を1原子層〜8原子層にすることにより、駆動電流に対する発光ピーク波長のシフト量を低減することができる。さらに、このような半導体発光素子を配置してなる画像表示部を有する画像表示装置は、駆動電流が変化した場合でも略一定の発光ピーク波長の光を発生させることができる。また、発光層であるInGaN層のIn組成比を調整することにより、青色、又は緑色の発光し、且つ発光ピーク波長のシフト量を低減することが可能となる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

画像表示装置の画像表示部を構成する半導体発光素子であって、窒化ガリウム系化合物半導体を主たる材料とし、層厚が1原子層〜8原子層である発光層を有し、前記発光層に注入される電流の振幅を調整することにより前記画像表示部の階調が制御されることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01L33/00 , H01S5/343

FI (2件)：

H01L33/00 C , H01S5/343 610

Fターム (17件)：

5F041AA11 , 5F041CA05 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F041CA74 , 5F041CA85 , 5F041CA87 , 5F041FF06 , 5F073AA45 , 5F073AA74 , 5F073AA77 , 5F073CA07 , 5F073CB05 , 5F073DA05 , 5F073DA25 , 5F073DA32 , 5F073EA03

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-029946 出願人：シャープ株式会社

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