特許
J-GLOBAL ID：200903076252340191
半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-029946
公開番号（公開出願番号）：特開平10-229217
出願日： 1997年02月14日
公開日（公表日）： 1998年08月25日
要約：
【要約】【課題】 ウエハ面内で均一な発光波長を持ち、且つ発光波長の注入電流依存性が小さく、発光効率が高く、寿命の長い青緑色、緑色、黄緑色の発光素子を得ること。【解決手段】 III-V族窒化物半導体を発光層とする半導体発光素子であり、発光層は単-半導体層構造または単一量子井戸構造または多重量子井戸構造であり、且つ単-半導体層または単位井戸層の層厚が1原子層数乃至15原子層数で構成されることを特徴とするものである。
請求項（抜粋）：
III-V族窒化物半導体を発光層とする半導体発光素子において、発光層は単-半導体層構造または単一量子井戸構造または多重量子井戸構造であり、且つ単-半導体層または単位量子井戸層の層厚が1原子層数乃至15原子層数で構成されることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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