特許
J-GLOBAL ID：200903047694703790

半絶縁性GaNおよびその製造方法

発明者：
ヴァウドー,ロバート,ピー.

ヴァウドー,ロバート,ピー. について

, 
シュー,シュエピング

シュー,シュエピング について

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ブランデス,ジョージ アール.

ブランデス,ジョージ アール. について


出願人/特許権者：
クリー インコーポレイテッド

クリー インコーポレイテッド について


代理人 (3件)： 稲葉 良幸 ,  大賀 眞司 ,  大貫 敏史
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-518986
公開番号（公開出願番号）：特表2007-534580
出願日： 2004年06月29日
公開日（公表日）： 2007年11月29日
要約：
電子および/または光電子用途用のGaNデバイスを作製するための基板を形成するために有用に用いられる大面積単結晶半絶縁性窒化ガリウムを開示する。大面積半絶縁性窒化ガリウムは、たとえばMn、Fe、Co NiおよびCuなどの深いアクセプタドーパント種で、成長している窒化ガリウム材料をその成長中にドープして、窒化ガリウムにおけるドナー種を補償しかつ窒化ガリウムに半絶縁特性を付与することによって、容易に形成される。
請求項（抜粋）：
大面積単結晶半絶縁性窒化ガリウム。
IPC (6件)：
C30B 29/38 ,  C23C 16/34 ,  H01L 29/201 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812
FI (4件)：
C30B29/38 D ,  C23C16/34 ,  H01L29/201 ,  H01L29/80 H
Fターム (52件)：
4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077AB06 ,  4G077BE15 ,  4G077DB04 ,  4G077DB11 ,  4G077EA02 ,  4G077EA04 ,  4G077EB01 ,  4G077EB06 ,  4G077ED01 ,  4G077ED06 ,  4G077EG22 ,  4G077EH01 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  4G077TB02 ,  4G077TC01 ,  4G077TC02 ,  4G077TC06 ,  4G077TC08 ,  4G077TC10 ,  4G077TJ02 ,  4G077TJ03 ,  4G077TJ04 ,  4G077TK01 ,  4K030AA03 ,  4K030AA13 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030JA01 ,  4K030LA14 ,  5F045AA02 ,  5F045AA06 ,  5F045AB14 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AE23 ,  5F045AE25 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ04 ,  5F102GL04 ,  5F102GQ01 ,  5F102HC01
引用特許：
審査官引用 (2件)

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