特許
J-GLOBAL ID：200903026224452769

高電子移動度トランジスタ及び電力増幅器

発明者：
森塚 真由美

森塚 真由美 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-179544
公開番号（公開出願番号）：特開2001-077353
出願日： 2000年06月15日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
要約：
【要約】【課題】 高出力で動作する反転型の窒素化合物系高電子移動度トランジスタを提供することを目的とする。【解決手段】 電子蓄積層(11)と、前記電子蓄積層上に設けられたゲート電極(16)、ソース電極(17)及びドレイン電極(18)と、前記電子蓄積層下に設けられた電子供給層(13)と、前記電子供給層の下面と接する下地層(14)を有し、前記下地層の格子定数より前記電子供給層の格子定数が大きいことを特徴とする高電子移動度トランジスタ。
請求項（抜粋）：
電子蓄積層と、前記電子蓄積層上に設けられたゲート電極、ソース電極及びドレイン電極と、前記電子蓄積層下に設けられた電子供給層と、前記電子供給層の下面と接する下地層を有し、前記下地層の格子定数より前記電子供給層の格子定数が大きいことを特徴とする高電子移動度トランジスタ。
IPC (4件)：
H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/205
FI (2件)：
H01L 29/80 H ,  H01L 21/205
引用特許：
審査官引用 (4件)
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