特許

J-GLOBAL ID：200903047699087116

基板電極プラズマ発生装置とそれを用いた物質・材料プロセッシング方法

発明者： 井▲ざき▼ 武士 ,  寺嶋 和夫 ,  関 俊一 ,  下田 達也
出願人/特許権者： 寺嶋 和夫 ,  セイコーエプソン株式会社
代理人 (2件)： 稲葉 良幸 (外5名) ,  稲葉 良幸 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-272125
公開番号（公開出願番号）：特開2000-164395
出願日： 1998年09月25日
公開日（公表日）： 2000年06月16日
要約：

【要約】【課題】基板上の任意の複数微小領域での薄膜形成や、表面処理および化学反応等の物質・材料プロセッシング方法を可能にする、低コスト、小型、低消費電力、のプラズマ発生装置を提供すること。【解決手段】基板電極プラズマ発生装置は、表面を酸化したシリコン基板5上にタングステンをスパッタ蒸着し、ドライエッチングにより微小ギャップ薄膜電極対1、2、3、4のアレイから構成される。

請求項（抜粋）：

同一基板上に一対以上の電極を配して、対の電極間でプラズマを発生し、任意の雰囲気下でプラズマを発生することを特徴とする基板電極プラズマ発生装置。

IPC (4件)：

H05H 1/46 ,  B29C 59/14 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00

FI (4件)：

H05H 1/46 M ,  B29C 59/14 ,  C23C 16/50 Z ,  C23F 4/00 A

Fターム (16件)：

4F209AA21 ,  4F209AG03 ,  4F209PA14 ,  4K030AA00 ,  4K030DA02 ,  4K030DA04 ,  4K030EA06 ,  4K030FA01 ,  4K030KA18 ,  4K057DA16 ,  4K057DA20 ,  4K057DB06 ,  4K057DD01 ,  4K057DE08 ,  4K057DM06 ,  4K057DM09

引用特許：

出願人引用 (2件)

• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-020842   出願人：沖電気工業株式会社
• ガス放電表示装置、その製造方法及びそのパネルの駆動方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-050131   出願人：三菱電機株式会社

審査官引用 (2件)

• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-020842   出願人：沖電気工業株式会社
• ガス放電表示装置、その製造方法及びそのパネルの駆動方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-050131   出願人：三菱電機株式会社