半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：田治米登 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-172447
公開番号（公開出願番号）：特開平11-016906
出願日： 1997年06月27日
公開日（公表日）： 1999年01月22日
要約：

【要約】【課題】埋め込み配線技術により形成した配線の表面酸化を防止し、抵抗の上昇や信頼性の低下を防止する。【解決手段】基板10上に形成された絶縁膜1に配線溝2が形成され、その配線溝2に配線材料4を埋め込むことにより形成された溝配線5を有する半導体装置において、溝配線5の表面に自己整合的に酸化防止膜11を形成する。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された絶縁膜に配線溝が形成され、その配線溝に配線材料を埋め込むことにより形成された溝配線を有する半導体装置において、溝配線の表面に自己整合的に酸化防止膜が形成されていることを特徴とする半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (2件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-230173 出願人：三菱電機株式会社
キャップ付き銅電気相互接続構造
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-109176 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

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