特許

J-GLOBAL ID：200903047717754265

プラズマ処理方法およびその装置

発明者： 内藤 克紀 ,  戸澤 孝 ,  中込 達也 ,  伊藤 恵貴 ,  鈴木 孝治
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社 ,  東京エレクトロン山梨株式会社
代理人 (1件)： 井上 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-289266
公開番号（公開出願番号）：特開平8-130209
出願日： 1994年10月28日
公開日（公表日）： 1996年05月21日
要約：

【要約】【目的】 互いに隣接する真空処理室を備え、各真空処理室内で電力の供給と磁場とによりプラズマを発生させてそのプラズマにより被処理体に対して処理を行うプラズマ処理装置において、相互の磁場の干渉を抑え、漏洩磁場を少なくすること。【構成】 真空処理室3A〜3Cの上方に設けられた双極の磁石41A〜41Cをモータ43により回転させるにあたって、同期回路52によりモータ駆動回路51A〜51Cを介しモータ43を同期制御し、これにより磁石41A〜41Cを同期回転(位相、速度が同じ)させる。

請求項（抜粋）：

互いに隣接する複数の真空処理室と、各真空処理室内にプラズマを発生させるための一対の電極と、プラズマ発生領域に磁場を形成するための双極を有する磁石とを備えたプラズマ処理装置において、前記複数の真空処理室に係る夫々の磁石を互いに同期回転させながらプラズマ処理を行うことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31

FI (2件)：

H01L 21/302 A ,  H01L 21/302 B

引用特許：

審査官引用 (3件)

• プラズマ生成装置、表面処理装置および表面処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-051117   出願人：株式会社東芝
• 半導体ウエハ処理方法及びその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-215115   出願人：ソニー株式会社
• 処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-054671   出願人：東京エレクトロン株式会社, 株式会社東芝