特許
J-GLOBAL ID：200903047721512012
III-V族窒化物半導体素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
上野 英夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-236876
公開番号（公開出願番号）：特開平10-093137
出願日： 1997年09月02日
公開日（公表日）： 1998年04月10日
要約：
【要約】【課題】青色系発光素子の製造において、窒化ガリウム(GaN)ベースの化合物をサファイア基板上にバッファ層を入れてエピタキシャル成長させる。しかし基板とAlGaInNデバイス層との間には、やはり大幅な格子定数の差が存在しデバイス層の中に亀裂が生じることがある。【解決手段】いくつかのサブ・レーヤを備えたNタイプの化合物デバイス層を製造することによって実現する。所望の各電気特性または特質毎に対応するNタイプのドープサブ・レーヤが設けられる。各サブ・レーヤの厚さは材料の亀裂を回避するように慎重に選択され、必要とされるドーピング量が増すほど対応する厚さは薄くする。
請求項（抜粋）：
以下(a)および(b)を含むことを特徴とするデバイス、(a)基板と、(b)基板上に配置される(AlxGa1-x)yIn1-yNの化合物デバイス層であって、該化合物デバイス層は、第1と第2のサブ・レーヤを含んでおり、各サブ・レーヤは対応する物理的特性に合わせて選択された関連する組成、厚さ、及び、ドーピング・レベルを有しており、前記サブ・レーヤのそれぞれに関連した組成及び厚さは、材料の亀裂を最小限に抑えるように念入りに調整されていて、前記サブ・レーヤのドーピングが増すほど、対応する前記サブ・レーヤの厚さが薄くなる。
引用特許：
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