特許
J-GLOBAL ID：200903090304541916
窒化物半導体レーザ素子
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-317845
公開番号（公開出願番号）：特開平8-228048
出願日： 1995年12月06日
公開日（公表日）： 1996年09月03日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 窒化物半導体を用いたレーザ素子を実現し、特に紫外〜緑色領域で発振する短波長レーザを実現する。【解決手段】 基板1上に、少なくともn型窒化物半導体よりなる第一のn型クラッド層5と、その第一のクラッド層に接してインジウムとガリウムとを含む窒化物半導体よりなる活性層6と、その活性層に接してp型窒化物半導体よりなる第一のp型クラッド層7とが順に積層された構造を有し、さらにp型窒化物半導体側からエッチングされて同一面側に正、負一対の電極が取り出された構造を備える窒化物半導体レーザ素子であって、前記第一のn型クラッド層5の外側に、互いに組成の異なる2種類の窒化物半導体層が積層されてなるn型の多層膜44を光反射膜として備え、さらにそのn型の多層膜は、最も基板側に近いエッチング面(図6のA面)よりもp型窒化物半導体層に近い位置に形成される。
請求項（抜粋）：
基板上に、少なくともn型窒化物半導体よりなる第一のクラッド層と、その第一のクラッド層に接してインジウムとガリウムとを含む窒化物半導体よりなる活性層と、その活性層に接してp型窒化物半導体よりなる第一のp型クラッド層とが順に積層された構造を有し、さらにp型窒化物半導体側からエッチングされて同一面側に正、負一対の電極が取り出された構造を備える窒化物半導体レーザ素子であって、前記第一のn型クラッド層の外側に、互いに組成の異なる2種類の窒化物半導体層が積層されてなるn型の多層膜を光反射膜として備え、さらにそのn型の多層膜は、最も基板側に近いエッチング面の水平面よりもp型窒化物半導体層に近い位置に形成されていることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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