特許

J-GLOBAL ID：200903047724813730

半導体装置製造方法

発明者： 保積 宏紀 ,  山口 和久
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 田辺 恵基
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-152802
公開番号（公開出願番号）：特開平6-342765
出願日： 1993年05月31日
公開日（公表日）： 1994年12月13日
要約：

【要約】【目的】本発明は、半導体装置製造方法において、高温拡散時における砒素の外方拡散や偏析による表面領域の濃度低下を抑制する。【構成】アニール処理工程前に、砒素が導入されている半導体基体の表面を窒化膜によつて覆い、その後アニール処理することにより当該処理工程の際における砒素の外方拡散および偏析現象を抑制する。これにより半導体素子の層抵抗ρs 及び電気特性の安定性を従来に比して一段と向上させることができる。

請求項（抜粋）：

半導体基体中に不純物として砒素を導入した後、当該砒素が導入された領域上面に窒化膜を堆積させ、その後、アニール処理によつて上記砒素を上記半導体基体中に拡散させることを特徴とする半導体装置製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/265 ,  H01L 21/324

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-281797   出願人：富士通株式会社
• 特開昭61-059723
  
• 特開平2-135738