特許

J-GLOBAL ID：200903047726347290

半導体装置

発明者： 小野 行徳 ,  高橋 庸夫
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-196483
公開番号（公開出願番号）：特開平9-045915
出願日： 1995年08月01日
公開日（公表日）： 1997年02月14日
要約：

【要約】【課題】微小な半導体島群、細線群を互いに相互作用のある形で多重連結し、かつ、その機能を電気信号として取り出す。【解決手段】絶縁層上の半導体層を含んでなる半導体装置において、前記半導体層の一部が他の部分より薄く加工され、薄く加工された該半導体層(2)、(3)は、薄く加工されていない厚い領域(1)にはさまれており、薄く加工された該半導体層(2)の長さを制御することにより、一部をトンネル絶縁性、残りの部分を完全絶縁性とした構成。

請求項（抜粋）：

絶縁層上の半導体層を含んでなる半導体装置において、前記半導体層の一部が他の部分より薄く加工され、かつ、薄く加工された該半導体層の一部がトンネル絶縁性、残りの部分が完全絶縁性を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/78 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/66 ,  H01L 29/80

FI (4件)：

H01L 29/78 301 J ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/66 ,  H01L 29/80 A