特許

J-GLOBAL ID：200903047726661610

磁気抵抗効果素子及び磁気抵抗効果素子の製造方法

発明者： 岸 均
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-126468
公開番号（公開出願番号）：特開2001-307310
出願日： 2000年04月26日
公開日（公表日）： 2001年11月02日
要約：

【要約】【課題】 積層フェリ型の磁化固定層をピン止めするための第1反強磁性層と磁化フリー層を磁区制御するための第2反強磁性層を有し、これらが略直交に設定されている磁気抵抗効果素子を提供する。【解決手段】 第1反強磁性層、第1磁性層と第2磁性層との間に反平行結合中間層を挟んで形成した積層フェリ型の磁化固定層、非磁性中間層、磁化フリー層及び該磁化フリー層の磁区制御を行うための第2反強磁性層を形成する工程と、前記第1反強磁性層と接する前記第1磁性層又は第2磁性層の磁化方向が、その供給方向に対して略直交方向に向くような強度を有する磁場を供給しながら加熱処理を行うことで、前記第1反強磁性層及び第2反強磁性層の磁化方向が互いに略直交するように固定する磁化固定工程とを含む製造工程で製造される。

請求項（抜粋）：

第1反強磁性層、第1磁性層と第2磁性層との間に反平行結合中間層を挟んで形成した積層フェリ型の磁化固定層、非磁性中間層及び磁化フリー層を順じ積層した積層膜と、前記磁化フリー層の磁区制御を行うため該磁化フリー層に接して設けた第2反強磁性層とを含み、前記積層フェリ型磁化固定層の磁化方向と前記磁化フリー層の磁化方向とが互いに略直交するように設定されている磁気抵抗効果素子。

IPC (5件)：

G11B 5/39 ,  G01R 33/09 ,  H01F 10/00 ,  H01F 41/18 ,  H01L 43/08

FI (5件)：

G11B 5/39 ,  H01F 10/00 ,  H01F 41/18 ,  H01L 43/08 Z ,  G01R 33/06 R

Fターム (16件)：

2G017AA00 ,  2G017AB07 ,  2G017AD55 ,  2G017AD62 ,  2G017AD63 ,  2G017AD65 ,  5D034BA05 ,  5D034CA08 ,  5D034DA07 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AA09 ,  5E049BA12 ,  5E049CB02 ,  5E049GC01

引用特許：

審査官引用 (1件)

• スピンバルブ型薄膜磁気素子及び薄膜磁気ヘッド及びスピンバルブ型薄膜磁気素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-157132   出願人：アルプス電気株式会社