特許

J-GLOBAL ID：200903047780613418

電子的に消去可能な不揮発性メモリ

発明者： ウォン,ティン-ワー
出願人/特許権者： プログラマブル・シリコン・ソリューションズ
代理人 (1件)： 奥山 尚一 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-566854
公開番号（公開出願番号）：特表2002-523895
出願日： 1999年08月19日
公開日（公表日）： 2002年07月30日
要約：

【要約】拡張性が高い不揮発性のメモリセル(10)は、三重井戸内に形成されたセルを含んでいる。コントロールゲート(12)は負にバイアスされる。消去する場合、P型井戸(30)及びドレイン(又はソース)(18)を特定の電圧範囲内で正にバイアスすることによって、GIDL電流及びホールのトラッピングによる劣化を減少させることができ、これにより、拡張可能な技術を実現することができる。

請求項（抜粋）：

P型領域内に形成された不揮発性のメモリセルであって、 浮動ゲート、コントロールゲート、及び前記P型領域内に形成されたソース及びドレインとして動作する第1及び第2のドープされた領域を有するトランジスタと、 前記コントロールゲート上の負のバイアスと、を備え、 前記浮動ゲートは前記浮動ゲートから前記第1のドープされた領域へ向かう電子のトンネル効果によって消去可能であり、前記P型領域及び前記第1のドープされた領域は、前記第1のドープされた領域のバイアスと前記P型領域のバイアスとの間の電位差がVcc以上でかつゼロより大きいように正にバイアスされ、 前記第2のドープされた領域はP型領域のバイアス電位以上の正電位によってバイアスされる、ことを特徴とするセル。

IPC (6件)：

H01L 21/8247 ,  G11C 16/02 ,  G11C 16/04 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (4件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434 ,  G11C 17/00 621 C ,  G11C 17/00 612 Z

Fターム (21件)：

5B025AA03 ,  5B025AB01 ,  5B025AC01 ,  5B025AD08 ,  5B025AE08 ,  5F083EP02 ,  5F083EP23 ,  5F083EP55 ,  5F083EP63 ,  5F083ER15 ,  5F083ER22 ,  5F083ER30 ,  5F083GA21 ,  5F083JA04 ,  5F101BA01 ,  5F101BB05 ,  5F101BC02 ,  5F101BD07 ,  5F101BD36 ,  5F101BE07 ,  5F101BF03

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 不揮発性半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-176968   出願人：株式会社東芝