特許

J-GLOBAL ID：200903047782702183

不揮発性メモリ及びその動作方法

発明者： 山内 祥光
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-351268
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189891
出願日： 1996年12月27日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：

【要約】【課題】 従来のDRAMセルとほぼ同程度の占有面積で、かつ、比較的簡単な構造及び製造工程により実現することができる不揮発性メモリを提供すること。【解決手段】 半導体基板1上に順次積層された第1絶縁膜3、フローティングゲート4、第2絶縁膜5及びコントロールゲート6、半導体基板1中に形成されたソース/ドレイン拡散層7、13により構成される1個の不揮発性メモリトランジスタと、2つの電極10、12に挟持されたキャパシタ絶縁膜11から構成され、前記一方の電極10が前記不揮発性メモリトランジスタのソース拡散層7と接続されている1個のキャパシタとを有するメモリセルの少なくとも1つと、ドレイン拡散層13側からトンネル電流によりフローティングゲート4への電子の注入/引き抜きを行う注入/引き抜き手段とからなる不揮発性メモリ。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に順次積層された第1絶縁膜、フローティングゲート、第2絶縁膜及びコントロールゲート、前記半導体基板中に形成されたソース/ドレイン拡散層により構成される1個の不揮発性メモリトランジスタと、2つの電極に挟持されたキャパシタ絶縁膜から構成され、前記一方の電極が前記不揮発性メモリトランジスタのソース拡散層と接続されている1個のキャパシタとを有するメモリセルの少なくとも1つと、前記ドレイン拡散層側からトンネル電流によりフローティングゲートへの電子の注入/引き抜きを行う注入/引き抜き手段とからなることを特徴とする不揮発性メモリ。

IPC (6件)：

H01L 27/105 ,  G11C 14/00 ,  G11C 16/04 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (5件)：

H01L 27/10 441 ,  G11C 11/34 352 A ,  G11C 17/00 621 A ,  G11C 17/00 625 ,  H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭58-119667
  
• 不揮発性ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-028765   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 特開昭53-142836