特許
J-GLOBAL ID：200903047799528993
抵抗変化素子とその製造方法ならびに抵抗変化型メモリ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
鎌田 耕一
, 黒田 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-086671
公開番号（公開出願番号）：特開2008-244397
出願日： 2007年03月29日
公開日（公表日）： 2008年10月09日
要約：
【課題】初期抵抗値などの素子の特性に影響を与えるような抵抗変化層の変質が抑制され、上記特性の変動が従来よりも少ない抵抗変化素子を提供する。【解決手段】基板と基板上に配置された多層構造体とを含み、多層構造体は、下部電極および上部電極と、下部電極と上部電極との間に配置された抵抗変化層とを含み、下部電極と上部電極との間の電気抵抗値が異なる2以上の状態が存在し、下部電極と上部電極との間に駆動電圧または電流を印加することにより、上記2以上の状態から選ばれる1つの状態から他の状態へと変化する抵抗変化素子であって、多層構造体は、抵抗変化層と接するように当該層を狭持する、導電性を有する第1および第2の酸素バリア膜をさらに含み、抵抗変化層は、側面近傍に変質部を有し、かつ、多層構造体の積層方向から見た面積が下部電極よりも大きく、上記方向から見て、変質部が下部電極と重複しない素子とする。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
基板と、前記基板上に配置された多層構造体とを含み、
前記多層構造体は、下部電極および上部電極と、前記下部電極と前記上部電極との間に配置された抵抗変化層と、を含み、
前記下部電極と前記上部電極との間の電気抵抗値が異なる2以上の状態が存在し、
前記下部電極と前記上部電極との間に駆動電圧または電流を印加することにより、前記2以上の状態から選ばれる1つの状態から他の状態へと変化する抵抗変化素子であって、
前記多層構造体は、前記抵抗変化層と接するように当該層を狭持する、導電性を有する第1および第2の酸素バリア膜をさらに含み、
前記抵抗変化層は、側面近傍に変質部を有し、かつ、前記多層構造体の積層方向から見た面積が前記下部電極よりも大きく、
前記方向から見て、前記変質部が前記下部電極と重複しない抵抗変化素子。
IPC (3件)：
H01L 49/00
, H01L 27/10
, H01L 45/00
H01L49/00 Z
, H01L27/10 451
, H01L45/00 Z
5F083FZ10
, 5F083GA27
, 5F083JA35
, 5F083JA36
, 5F083JA37
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083JA42
, 5F083MA06
, 5F083MA19
, 5F083PR40
