特許
J-GLOBAL ID：200903047885062689
単結晶引上方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-269499
公開番号（公開出願番号）：特開2001-089289
出願日： 1999年09月22日
公開日（公表日）： 2001年04月03日
要約：
【要約】【課題】 単結晶引上方法において、結晶全般にわたり融液対流による温度振動を防止して単結晶化率を向上させること。【解決手段】 ルツボ4内の半導体融液Lにカスプ磁場Mを印加しながら該半導体融液より半導体単結晶C0を引き上げる単結晶引上方法であって、前記半導体単結晶の引き上げ開始時には、上下方向の磁場中心を半導体単結晶と前記半導体融液との固液界面Sから下方にずらして500ガウス以上の磁場強度で磁場を印加し、さらに、前記半導体融液の減少に応じて前記上下方向の磁場中心を、予め求めておいた前記半導体融液表面の温度振動が最小になる位置に移動させる技術が採用される。
請求項（抜粋）：
ルツボ内の半導体融液にカスプ磁場を印加しながら該半導体融液より半導体単結晶を引き上げる単結晶引上方法であって、前記半導体単結晶の引き上げ開始時には、上下方向の磁場中心を半導体単結晶と前記半導体融液との固液界面から下方にずらして500ガウス以上の磁場強度で磁場を印加し、さらに、前記半導体融液の減少に応じて前記上下方向の磁場中心を、予め求めておいた前記半導体融液表面の温度振動が最小になる位置に移動させることを特徴とする単結晶引上方法。
Fターム (5件)：
4G077AA02
, 4G077BA04
, 4G077CF10
, 4G077EH07
, 4G077EJ02
