ZnO/サファイア基板及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮▼崎▲ 主税
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-128757
公開番号（公開出願番号）：特開2003-063893
出願日： 2002年04月30日
公開日（公表日）： 2003年03月05日
要約：

【要約】【課題】結晶性に優れ、クラックがない(1,1,バー2,0)ZnOエピタキシャル膜が、(0,1,バー1,2)R面サファイア上においてエピタキシャル成長されているZnO/サファイア基板を提供する。【解決手段】 (0,1,バー1,2)結晶面が基板表面に平行であるR面サファイア上に、該(0,1,バー1,2)結晶面に対し酸化亜鉛(ZnO)の(1,1,バー2,0)結晶面が平行となるように酸化亜鉛膜をエピタキシャル成長させてなるZnO/サファイア基板であって、前記ZnOの(1,1,バー2,0)の面の面間隔dが、1.623オングストローム≦d≦1.627オングストロ-ムの範囲とされている、ZnO/サファイア基板。

請求項（抜粋）：

(0,1,バー1,2)結晶面が基板表面に平行であるR面サファイア上に、該(0,1,バー1,2)結晶面に対しZnOの(1,1,バー2,0)結晶面が平行となるようにZnO膜をエピタキシャル成長させてなるZnO/サファイア基板であって、前記ZnOの(1,1,バー2,0)の面間隔dが、1.623オングストローム≦d≦1.627オングストロ-ムの範囲とされている、ZnO/サファイア基板。

IPC (3件)：

C30B 29/16 , C23C 14/08 , H03H 9/25

FI (3件)：

C30B 29/16 , C23C 14/08 C , H03H 9/25 C

Fターム (19件)：

4G077AA03 , 4G077BB07 , 4G077DA14 , 4G077ED05 , 4G077ED06 , 4G077HA11 , 4G077SA04 , 4G077SB03 , 4K029AA07 , 4K029BA49 , 4K029BB09 , 4K029CA06 , 4K029DC03 , 4K029DC35 , 4K029DC39 , 5J097AA20 , 5J097FF02 , 5J097HA03 , 5J097KK01

引用文献：

審査官引用 (1件)

RFマグネトロン形ECRスパッタ装置によるZnO膜の特性

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